相对于传统的 KD*P 电光调制晶体，BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系 数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相对于RTP 电光 调制晶体，BBO 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度时应系，有利于提高激光输出 功率稳定性。因此，由BBO 晶体制成的电光Q开关常被应用于高重复频率（高达833KHz[1]）， 高功率（高达900W[2]）的电光调Q 激光器，腔倒空调Q 激光器和全固态皮秒、飞秒再生 放大系统中。