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2024-07-17 16:40:22·[??中关村在线 原创??]·作者：林有三
三星电子正在积极研发一种新型移动内存，名为LP Wide I/O。这种内存将于2025年一季度实现技术就绪，并在2025年下半年至2026年上半年实现量产就绪。与现有HBM内存相比，LP Wide I/O内存的单封装位宽将达到现有HBM内存的一半——即512bit。
为了实现更小芯片上512bit的位宽，需要堆叠DRAM芯片，但是HMB采用不适合移动内存各层DRAM间的互联的方式是TSV硅通孔。因此，三星电子将在LP Wide I/O内存上采用一项全新垂直互联技术，名为VCS（全称Vertical Cu Post Stack）。
同SK海力士的VFO技术和三星电子的VCS技术类似，它们都是将扇出封装和垂直通道结合在一起。据三星电子表示，VCS先进封装技术相较于传统引线键合拥有8倍和2.6倍的I/O密度和带宽；相较VWB垂直引线键合（疑似指代SK海力士的VFO技术），其生产效率提高了9倍。
此外，三星电子还计划于2025至2026年推出量产的LPDDR6内
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